APQ05SN60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ05SN60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 16 nC
   Tiempo de subida (tr): 45 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APQ05SN60A

APQ05SN60A Datasheet (PDF)

..1. Size:616K alpha pacific
apq05sn60a apq05sn60af.pdf

DEVICE SPECIFICATION apQ05SN60A(F)600V/5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 5A RDS(on) = 1.5(typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =2.5A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimiz

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: