IRFS723 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS723

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de IRFS723 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS723 datasheet

 ..1. Size:295K  1
 irfs720 irfs721 irfs722 irfs723.pdf pdf_icon

IRFS723

 8.1. Size:284K  1
 irfs720 irfs721.pdf pdf_icon

IRFS723

 8.2. Size:880K  1
 irf720b irfs720b.pdf pdf_icon

IRFS723

 8.3. Size:501K  samsung
 irfs720a.pdf pdf_icon

IRFS723

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 1.408 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFS645, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, IRFS720A, IRFS721, IRFS722, 18N50, IRFS730, IRFS730A, IRFS731, IRFS732, IRFS733, IRFS740, IRFS740A, IRFS741