IRFS723 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS723 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS723
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS723

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS723 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  1
 irfs720 irfs721 irfs722 irfs723.pdf pdf_icon

IRFS723

 8.1. Size:284K  1
 irfs720 irfs721.pdf pdf_icon

IRFS723

 8.2. Size:880K  1
 irf720b irfs720b.pdf pdf_icon

IRFS723

November 2001IRF720B/IRFS720B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 400V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.3. Size:501K  samsung
 irfs720a.pdf pdf_icon

IRFS723

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 1.408 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS645 , IRFS650A , IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , IRFS720A , IRFS721 , IRFS722 , 18N50 , IRFS730 , IRFS730A , IRFS731 , IRFS732 , IRFS733 , IRFS740 , IRFS740A , IRFS741 .

History: IXFX180N085

 

 
Back to Top

 


 
.