IRFS723. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS723

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS723

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS723 даташит

 ..1. Size:295K  1
 irfs720 irfs721 irfs722 irfs723.pdf pdf_icon

IRFS723

 8.1. Size:284K  1
 irfs720 irfs721.pdf pdf_icon

IRFS723

 8.2. Size:880K  1
 irf720b irfs720b.pdf pdf_icon

IRFS723

 8.3. Size:501K  samsung
 irfs720a.pdf pdf_icon

IRFS723

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 1.408 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS645, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, IRFS720A, IRFS721, IRFS722, 18N50, IRFS730, IRFS730A, IRFS731, IRFS732, IRFS733, IRFS740, IRFS740A, IRFS741