APQ16SN06AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ16SN06AA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de APQ16SN06AA MOSFET
APQ16SN06AA Datasheet (PDF)
apq16sn06aa apq16sn06ab.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ16SN06AA APQ16SN06AB 60V/16A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 16A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =52m(typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to
Otros transistores... APQ12SN60AH , APQ12SN65AF , APQ12SN65AH , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , IRFB4110 , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB , APQ4ESN50A .
History: JCS4N65M | APQ13SN50AH | PHD71NQ03LT
History: JCS4N65M | APQ13SN50AH | PHD71NQ03LT
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