APQ16SN06AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ16SN06AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 17 nC
   Tiempo de subida (tr): 13 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 47 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

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APQ16SN06AA Datasheet (PDF)

..1. Size:325K alpha pacific
apq16sn06aa apq16sn06ab.pdf

DEVICE SPECIFICATION APQ16SN06AA APQ16SN06AB 60V/16A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 16A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =52m(typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

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History: MSK2N60F

Liste

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