APQ39SN04AA Todos los transistores

 

APQ39SN04AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ39SN04AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de APQ39SN04AA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

APQ39SN04AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  alpha pacific
apq39sn04aa apq39sn04ab.pdf pdf_icon

APQ39SN04AA

DEVICE SPECIFICATION APQ39SN04AA APQ39SN04AB 40V/39A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 40V / 39A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m(typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to m

Otros transistores... APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB , 7N65 , APQ39SN04AB , APQ4ESN50A , APQ4ESN50AB , APQ4ESN50AE , APQ4ESN50AF , APQ4ESN50AH , APQ4ESN65AF , APQ4ESN65AH .

History: DMN3016LFDE

 

 
Back to Top

 


History: DMN3016LFDE

APQ39SN04AA
  APQ39SN04AA
  APQ39SN04AA
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor

 


 
.