APQ39SN04AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ39SN04AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de APQ39SN04AA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

APQ39SN04AA datasheet

 ..1. Size:333K  alpha pacific
 apq39sn04aa apq39sn04ab.pdf pdf_icon

APQ39SN04AA

DEVICE SPECIFICATION APQ39SN04AA APQ39SN04AB 40V/39A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 40V / 39A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m (typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to m

Otros transistores... APQ14SN65AF, APQ14SN65AH, APQ16SN06AA, APQ16SN06AB, APQ1HSN60AA, APQ1HSN60AB, APQ25SN06AA, APQ25SN06AB, 10N60, APQ39SN04AB, APQ4ESN50A, APQ4ESN50AB, APQ4ESN50AE, APQ4ESN50AF, APQ4ESN50AH, APQ4ESN65AF, APQ4ESN65AH