APQ39SN04AA Todos los transistores

 

APQ39SN04AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ39SN04AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

APQ39SN04AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  alpha pacific
apq39sn04aa apq39sn04ab.pdf pdf_icon

APQ39SN04AA

DEVICE SPECIFICATION APQ39SN04AA APQ39SN04AB 40V/39A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 40V / 39A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m(typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to m

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME2306BS-G | NVD14N03R

 

 
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