APQ5ESN40A MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

APQ5ESN40A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ5ESN40A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de APQ5ESN40A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

APQ5ESN40A datasheet

..1. Size:381K alpha pacific
apq5esn40a.pdf pdf_icon

DEVICE SPECIFICATION apQ5ESN40A 400V/5.5A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 400V / 5.5A RDS(on) = 0.85 (typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =3.3A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to mini

0.1. Size:789K alpha pacific
apq5esn40af.pdf pdf_icon

DEVICE SPECIFICATION APQ5ESN40AH APQ5ESN40AF 400V/5.5A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 400V / 5.5A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.85 (typ) VGS = 10 V ,ID =3.3A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested ta

0.2. Size:789K alpha pacific
apq5esn40ah.pdf pdf_icon

Otros transistores... APQ4ESN50AH, APQ4ESN65AF, APQ4ESN65AH, APQ50SN06A, APQ50SN06AD, APQ50SN06AH, APQ57SN10B, APQ57SN10BH, IRF9540N, APQ5ESN40AF, APQ5ESN40AH, APQ65SN06A, APQ65SN06AD, APQ65SN06AH, APQ84SN06A, APQ84SN06AD, APQ84SN06AH

APQ5ESN40A Todos los transistores