APQ5ESN40AH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ5ESN40AH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APQ5ESN40AH

APQ5ESN40AH Datasheet (PDF)

..1. Size:789K alpha pacific
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DEVICE SPECIFICATION APQ5ESN40AH APQ5ESN40AF 400V/5.5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 400V / 5.5A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.85(typ)VGS = 10 V ,ID =3.3A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested ta

4.1. Size:789K alpha pacific
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4.2. Size:381K alpha pacific
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DEVICE SPECIFICATION apQ5ESN40A 400V/5.5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 400V / 5.5A RDS(on) = 0.85(typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =3.3A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to mini

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: