APQ5ESN40AH MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

APQ5ESN40AH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ5ESN40AH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220

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APQ5ESN40AH datasheet

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DEVICE SPECIFICATION APQ5ESN40AH APQ5ESN40AF 400V/5.5A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 400V / 5.5A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.85 (typ) VGS = 10 V ,ID =3.3A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested ta

4.1. Size:789K alpha pacific
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DEVICE SPECIFICATION apQ5ESN40A 400V/5.5A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 400V / 5.5A RDS(on) = 0.85 (typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =3.3A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to mini

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