APQ84SN06A MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

APQ84SN06A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ84SN06A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 687 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO-220

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APQ84SN06A datasheet

..1. Size:92K alpha pacific
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DEVICE SPECIFICATION apQ84SN06A 60V/84A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A, RDS(on) =12m (typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =50.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

0.1. Size:709K alpha pacific
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DEVICE SPECIFICATION APQ84SN06AH 60V/84A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m (typ) VGS =10V, ID =42A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-state

0.2. Size:714K alpha pacific
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