APQ84SN06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ84SN06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 125 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 687 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APQ84SN06A

APQ84SN06A Datasheet (PDF)

..1. Size:92K alpha pacific
apq84sn06a.pdf

DEVICE SPECIFICATION apQ84SN06A60V/84A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A, RDS(on) =12m(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =50.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

0.1. Size:709K alpha pacific
apq84sn06ad.pdf

DEVICE SPECIFICATION APQ84SN06AH 60V/84A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 84A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m(typ)VGS =10V, ID =42A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-state

0.2. Size:714K alpha pacific
apq84sn06ah.pdf

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Liste

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