CEDM7001VL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEDM7001VL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT-883VL

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CEDM7001VL datasheet

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CEDM7001VL

CEDM7001VL SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7001VL is an MOSFET N-Channel Enhancement-mode MOSFET packaged in the very low profile SOT-883VL case. The device is designed for space constrained high speed amplifier and driver applications where package height is a critical design element. This MOSFET of

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CEDM7001VL

CEDM7004VL SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7004VL is an MOSFET N-Channel Enhancement-mode MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers low rDS(ON) and low threshold voltage. MARKING CODE S COMPLEMENTARY P-CHA

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