CEDM7004VL MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CEDM7004VL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEDM7004VL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm

Encapsulados: SOT-883VL

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CEDM7004VL datasheet

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CEDM7004VL SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7004VL is an MOSFET N-Channel Enhancement-mode MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers low rDS(ON) and low threshold voltage. MARKING CODE S COMPLEMENTARY P-CHA

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CEDM7004 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM7004 SILICON MOSFET is an Enhancement-mode N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(on) and Low Threshold Voltage. MARKING CODE S FEA

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