HY110N06T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY110N06T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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HY110N06T datasheet

 ..1. Size:223K  hy
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HY110N06T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE ( ) 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY110N06T 55V / 110A 55V, RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V, ID=30A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (

 9.1. Size:5035K  hymexa
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HY110N06T

HY1106S N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60 / 11A V D D 13 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V D D RDS(ON)=13.5m (typ.) @ VGS=4.5V Avalanche Rated S S S Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8 (RoHS Compliant) pplications A D Power Management in DC/DC Converter G N-Channel MOSFET S Ordering and Marki

 9.2. Size:982K  hymexa
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HY110N06T

HY1103S N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/11A RDS(ON)=9.5m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)=11.5m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOP8L Applications Switching Application Power Management for DC/DC Battery Protection N-Channel MOSFET Ordering and Marking

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