HY110N06T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY110N06T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для HY110N06T
HY110N06T Datasheet (PDF)
hy110n06t.pdf

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY110N06T 55V / 110A55V, RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (
hy1106s.pdf

HY1106SN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60 / 11AVDD13RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10VDDRDS(ON)=13.5m (typ.) @ VGS=4.5VAvalanche RatedSSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)pplicationsAD Power Management in DC/DC ConverterG N-Channel MOSFETSOrdering and Marki
hy1103s.pdf

HY1103SN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/11ARDS(ON)=9.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)=11.5m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOP8LApplications Switching Application Power Management for DC/DC Battery ProtectionN-Channel MOSFET Ordering and Marking
Другие MOSFET... CEU5175 , HX2N60 , HX4N60 , HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , HY10N65T , IRFZ46N , HY125N10T , HY12N65T , HY13N50T , HY150N075T , HY18N20D , HY18N20T , HY18N50W , HY1N60D .
History: IXTE250N10 | FQA36P15F109 | FQA34N20 | AM3524C | IPP65R310CFD | IPP65R190E6 | ME2303
History: IXTE250N10 | FQA36P15F109 | FQA34N20 | AM3524C | IPP65R310CFD | IPP65R190E6 | ME2303



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent