HY12N65T Todos los transistores

 

HY12N65T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY12N65T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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HY12N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  hy
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HY12N65T

HY12N65T / HY12N65FT650V / 12A650V, RDS(ON)=0.8@VGS=10V, ID=6.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G3 3D DS S

Otros transistores... HX4N60 , HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , HY10N65T , HY110N06T , HY125N10T , NCEP15T14 , HY13N50T , HY150N075T , HY18N20D , HY18N20T , HY18N50W , HY1N60D , HY2N60D , HY2N60T .

History: HM20PD05 | FTK3400 | SSM4880AGM | BSB056N10NN3G | 2N5114UB | DMP57D5UV | IRFN130SMD05

 

 
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