HY18N20T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY18N20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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HY18N20T datasheet

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HY18N20T

HY18N20T 200V / 18A 200V, RDS(ON)=92mW@VGS=10V, ID=10A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor Control Drain 2 In compliance with E

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HY18N20T

HY18N20D 200V / 18A 200V, RDS(ON)=92mW@VGS=10V, ID=10A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-252 Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor Control Drain 2 In compliance with EU R

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HY18N20T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE ( ) 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY18N50W 500V / 18A 500V, RDS(ON)=0.32W@VGS=10V, ID=9A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-3PN Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CR

Otros transistores... HX70N6, HY10N65T, HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T, HY13N50T, HY150N075T, HY18N20D, IRF830, HY18N50W, HY1N60D, HY2N60D, HY2N60T, HY2N65D, HY2N65T, HY2N70D, HY2N70T