HY18N50W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY18N50W

Código: 18N50W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 36.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 320 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.32 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3PN

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HY18N50W Datasheet (PDF)

1.1. hy18n50w.pdf Size:294K _upd-mosfet

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 – MAXIMUM NON- T1 – FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE (℃) 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY18N50W 500V / 18A 500V, RDS(ON)=0.32W@VGS=10V, ID=9A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-3PN • Low On-State Resistance • Fast Switching • Low Gate Charge & Low CR

5.1. hy18n20t.pdf Size:214K _upd-mosfet

HY18N20T 200V / 18A 200V, RDS(ON)=92mW@VGS=10V, ID=10A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB • Low On-State Resistance • Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor Control Drain 2 • In compliance with E

5.2. hy18n20d.pdf Size:213K _upd-mosfet

HY18N20D 200V / 18A 200V, RDS(ON)=92mW@VGS=10V, ID=10A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-252 • Low On-State Resistance • Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor Control Drain 2 • In compliance with EU R

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Liste

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