HY18N50W Todos los transistores

 

HY18N50W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY18N50W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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HY18N50W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  hy
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HY18N50W

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY18N50W 500V / 18A500V, RDS(ON)=0.32W@VGS=10V, ID=9AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-3PN Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CR

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 hy18n20t.pdf pdf_icon

HY18N50W

HY18N20T 200V / 18A200V, RDS(ON)=92mW@VGS=10V, ID=10AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor ControlDrain 2 In compliance with E

 9.2. Size:213K  hy
 hy18n20d.pdf pdf_icon

HY18N50W

HY18N20D200V / 18A200V, RDS(ON)=92mW@VGS=10V, ID=10AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-252 Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor ControlDrain 2 In compliance with EU R

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