RU1HE4D Todos los transistores

 

RU1HE4D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1HE4D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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RU1HE4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  ruichips
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RU1HE4D

RU1HE4D N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/4A, RDS (ON) =72m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and Rugged SOT-223 Ultra Low On-Resistance Lead Free and Green Available Applications DC-DC Converter Motor Driving N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Pa

 8.1. Size:277K  ruichips
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RU1HE4D

RU1HE4HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/4A,RDS (ON) =72m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management Converters.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.1. Size:279K  ruichips
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RU1HE4D

RU1HE3HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/3A,RDS (ON) =135m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =150m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Converters LED BacklightN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat

 9.2. Size:293K  ruichips
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RU1HE4D

RU1HE16LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/16A,RDS (ON) =70m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =85m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamet

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History: HM10P10D

 

 
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