RU1HE4D - аналоги и даташиты транзистора

 

RU1HE4D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU1HE4D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для RU1HE4D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HE4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  ruichips
 ru1he4d.pdf pdf_icon

RU1HE4D

RU1HE4D N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/4A, RDS (ON) =72m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and Rugged SOT-223 Ultra Low On-Resistance Lead Free and Green Available Applications DC-DC Converter Motor Driving N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Pa

 8.1. Size:277K  ruichips
 ru1he4h.pdf pdf_icon

RU1HE4D

RU1HE4HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/4A,RDS (ON) =72m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management Converters.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.1. Size:279K  ruichips
 ru1he3h.pdf pdf_icon

RU1HE4D

RU1HE3HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/3A,RDS (ON) =135m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =150m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Converters LED BacklightN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat

 9.2. Size:293K  ruichips
 ru1he16l.pdf pdf_icon

RU1HE4D

RU1HE16LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/16A,RDS (ON) =70m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =85m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU1H60R , RU1H7H , RU1H80R , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H , 4435 , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , RU1HP60R , RU1J002YN .

History: WMO22N50C4 | NCE3400XY | RU1HE12L | WMO060N10HGS | STD30PF03LT4 | WMO090NV6HG4 | IRF9640LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.