IRFS830 Todos los transistores

 

IRFS830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS830
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFS830 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  1
irfs830 irfs831.pdf pdf_icon

IRFS830

 ..2. Size:308K  1
irfs830 irfs831 irfs832 irfs833.pdf pdf_icon

IRFS830

 ..3. Size:930K  blue-rocket-elect
irfs830.pdf pdf_icon

IRFS830

IRFS830 Rev.E Dec.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

 0.1. Size:888K  fairchild semi
irf830b irfs830b.pdf pdf_icon

IRFS830

November 2001IRF830B/IRFS830B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.5A, 500V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Otros transistores... IRFS742 , IRFS743 , IRFS750A , IRFS820 , IRFS820A , IRFS821 , IRFS822 , IRFS823 , IRF1405 , IRFS830A , IRFS831 , IRFS832 , IRFS833 , IRFS840 , IRFS840A , IRFS841 , IRFS842 .

History: JMTE3003A | STP9235 | PMV45EN2 | JMTE035N06D | IRFS830A | IRFS732

 

 
Back to Top

 


 
.