RU2013H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU2013H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU2013H datasheet

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RU2013H

RU2013H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/13A, RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low On-Resistance Reliable and Rugged SOP-8 Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratin

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RU2013H

RU20130L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/130A, RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Proces

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RU2013H

RU20120L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/120A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4.2m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO252 Applications Power Management DC-DC Converters N-

Otros transistores... RU1HL8L, RU1HP55R, RU1HP60R, RU1J002YN, RU1Z120R, RU1Z200Q, RU20120L, RU20130L, 4N60, RU2020H, RU2021H, RU205B, RU206G, RU2090M, RU20D10H, RU20E60L, RU20E8H