RU2013H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU2013H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2013H

RU2013H Datasheet (PDF)

..1. Size:282K ruichips
ru2013h.pdf

RU2013HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/13A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low On-Resistance Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratin

8.1. Size:295K ruichips
ru20130l.pdf

RU20130LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/130A,RDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Proces

9.1. Size:299K ruichips
ru20120l.pdf

RU20120LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/120A, RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO252Applications Power Management DC-DC ConvertersN-

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: