RU2013H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2013H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
RU2013H Datasheet (PDF)
ru2013h.pdf

RU2013HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/13A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low On-Resistance Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratin
ru20130l.pdf

RU20130LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/130A,RDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Proces
ru20120l.pdf

RU20120LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/120A, RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO252Applications Power Management DC-DC ConvertersN-
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: IMW65R027M1H
History: IMW65R027M1H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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