RU2021H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2021H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1530 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de RU2021H MOSFET
RU2021H Datasheet (PDF)
ru2021h.pdf
RU2021HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =4m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rat
ru2020h.pdf
RU2020HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =3.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.8m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =5.6m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
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History: NCE60P12AS | RU1Z200Q | RU206G
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Liste
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