RU205B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU205B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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RU205B datasheet

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RU205B

RU205B N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/5A, RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged SOT-23 Lead Free and Green Available Applications Load Switch PWM Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra

 ..2. Size:915K  cn vbsemi
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RU205B

RU205B www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6a 100 % Rg Tested 20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 APPLICATIONS DC/DC Convert

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RU205B

RU205C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/5A, RDS (ON) =40m (Typ.)@VGS=4.5V D RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=2.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Very Fast Switching V F t S it hi G Low Threshold Voltage Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D D D D D D pp Applications

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