RU20E8H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU20E8H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU20E8H datasheet

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RU20E8H

RU20E8H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/8.8A, RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Converters N-Channel MOSFET Absolute

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RU20E8H

RU20E60L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/60A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V D Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications DC/DC converter Motor Drives G S N-Cha

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