RU20E8H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU20E8H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU20E8H

RU20E8H Datasheet (PDF)

..1. Size:278K ruichips
ru20e8h.pdf

RU20E8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/8.8A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute

9.1. Size:323K ruichips
ru20e60l.pdf

RU20E60LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5VD Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC converter Motor DrivesGSN-Cha

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Liste

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