RU20E8H - аналоги и даташиты транзистора

 

RU20E8H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU20E8H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU20E8H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20E8H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  ruichips
 ru20e8h.pdf pdf_icon

RU20E8H

RU20E8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/8.8A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute

 9.1. Size:323K  ruichips
 ru20e60l.pdf pdf_icon

RU20E8H

RU20E60LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5VD Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC converter Motor DrivesGSN-Cha

Другие MOSFET... RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M , RU20D10H , RU20E60L , 4N60 , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , RU20T8M7 , RU2520H .

 

 
Back to Top

 


 
.