RU20E8H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU20E8H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
RU20E8H Datasheet (PDF)
ru20e8h.pdf
RU20E8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/8.8A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute
ru20e60l.pdf
RU20E60LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5VD Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC converter Motor DrivesGSN-Cha
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
