RU2H30Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU2H30Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO-247

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RU2H30Q datasheet

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RU2H30Q

RU2H30Q N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-247 Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems DC/DC Converters N-Channel MOSFET Abs

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RU2H30Q

RU2H30R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available G D S TO220 D Applications Switching Application Systems UPS G S N-Channel MOSFET Absolute

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RU2H30Q

RU2H30S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10V D Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available G S TO220 D Applications Switching Application Systems UPS G S N-Channel MOSFET Absolute

Otros transistores... RU20P3B, RU20P4C, RU20P5E, RU20T7G, RU20T8M7, RU2520H, RU2560L, RU2568L, AO3400A, RU2H30R, RU2H30S, RU2H50Q, RU2H50R, RU2H50S, RU2HE2D, RU2HE5L, RU30100L