RU2H30R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2H30R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 116 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2H30R
RU2H30R Datasheet (PDF)
ru2h30r.pdf
RU2H30RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m(Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableGDSTO220DApplications Switching Application Systems UPSGSN-Channel MOSFETAbsolute
ru2h30q.pdf
RU2H30QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/30A,RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-247 Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbs
ru2h30s.pdf
RU2H30SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m(Typ.) @ VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableGSTO220DApplications Switching Application Systems UPSGSN-Channel MOSFETAbsolute
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Liste
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