RU2H50Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2H50Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 326 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 160 nC
Tiempo de subida (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2H50Q
RU2H50Q Datasheet (PDF)
ru2h50q.pdf
RU2H50QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/60A,RDS (ON) =34m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-247 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching ApplicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
ru2h50s.pdf
RU2H50SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/60A,RDS (ON) =36m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-263 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching ApplicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
ru2h50r.pdf
RU2H50RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/60A,RDS (ON) =36m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching ApplicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
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