RU2H50Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU2H50Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 326 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO-247

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RU2H50Q datasheet

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RU2H50Q

RU2H50Q N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/60A, RDS (ON) =34m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-247 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings

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RU2H50Q

RU2H50S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/60A, RDS (ON) =36m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings

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RU2H50Q

RU2H50R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/60A, RDS (ON) =36m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings

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