RU2H50S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU2H50S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2H50S

RU2H50S Datasheet (PDF)

..1. Size:293K ruichips
ru2h50s.pdf

RU2H50SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/60A,RDS (ON) =36m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-263 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching ApplicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

8.1. Size:291K ruichips
ru2h50q.pdf

RU2H50QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/60A,RDS (ON) =34m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-247 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching ApplicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

8.2. Size:302K ruichips
ru2h50r.pdf

RU2H50RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/60A,RDS (ON) =36m (Typ.) @ VGS=10V Low Gate Charge Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching ApplicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: