RU3030M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU3030M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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RU3030M2 datasheet

 ..1. Size:330K  ruichips
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RU3030M2

RU3030M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =15m (Typ.)@VGS=4.5V D Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge 100% avalanche tested G S S S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PIN1 PDFN3333 D Applications Switching Applic

 7.1. Size:733K  ruichips
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RU3030M2

RU3030M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology G S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) S S S Reliable and Rugged R li bl d R d 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D PIN1 D D DFN

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RU3030M2

RU30300R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/300A, RDS (ON) =1.7m (Typ.) @ VGS=10V,IDS=75A Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converters UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ra

Otros transistores... RU30160S, RU3020H, RU3020L, RU30230R, RU30231R, RU30290R, RU30291R, RU30300R, IRF540N, RU3040M, RU3040M2, RU304B, RU3050L, RU3065L, RU306C, RU3070L, RU3070M