RU304B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU304B
   Código: 6*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU304B

RU304B Datasheet (PDF)

..1. Size:247K ruichips
ru304b.pdf

RU304BN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/4A,RDS (ON) =44m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =53m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedSOT-23 Lead Free and Green AvailableApplications Load/System SwitchN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitComm

9.1. Size:778K ruichips
ru3040m3.pdf

RU3040M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/40A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5VGSS Uses Ruichips advanced TrenchTM technologyS Excellent QgxRDS(on) product(FOM)D Reliable and RuggedR li bl d R dDD 100% avalanche testedDD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DF

9.2. Size:306K ruichips
ru3040m.pdf

RU3040M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =17.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

9.3. Size:338K ruichips
ru3040m2.pdf

RU3040M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/40A,RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VDDDRDS (ON) =8.2m(Typ.)@VGS=4.5VDRDS (ON) =16.8m(Typ.) @VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge GSSS 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PDFN3333D

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History: BUK7Y1R4-40H

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: