RU304B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU304B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для RU304B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU304B даташит

 ..1. Size:247K  ruichips
 ru304b.pdf pdf_icon

RU304B

RU304B N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =44m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =53m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged SOT-23 Lead Free and Green Available Applications Load/System Switch N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Comm

 9.1. Size:778K  ruichips
 ru3040m3.pdf pdf_icon

RU304B

RU3040M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V G S S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D Reliable and Rugged R li bl d R d D D 100% avalanche tested D D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DF

 9.2. Size:306K  ruichips
 ru3040m.pdf pdf_icon

RU304B

RU3040M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =17.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 9.3. Size:338K  ruichips
 ru3040m2.pdf pdf_icon

RU304B

RU3040M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =5.8m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =8.2m (Typ.)@VGS=4.5V D RDS (ON) =16.8m (Typ.) @VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge G S S S 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PDFN3333 D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU30230R, RU30231R, RU30290R, RU30291R, RU30300R, RU3030M2, RU3040M, RU3040M2, IRFP460, RU3050L, RU3065L, RU306C, RU3070L, RU3070M, RU3089L, RU3090M, RU30C8H