RU3065L Todos los transistores

 

RU3065L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU3065L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RU3065L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  ruichips
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RU3065L

RU3065LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/65A,RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum R

 9.1. Size:325K  ruichips
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RU3065L

RU3060LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/53A,RDS (ON) =9m(tpy.)@VGS=10VRDS (ON) =13m(tpy.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management in DesktopComputer, Portable Equipm

 9.2. Size:314K  ruichips
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RU3065L

RU306C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/5A, RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =110m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converter Load Switch N-Channel MOSFET Ab

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History: NCEP040N10GU | SSF70R600S2

 

 
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