RU3065L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3065L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 65 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 380 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3065L
RU3065L Datasheet (PDF)
ru3065l.pdf
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RU3060LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/53A,RDS (ON) =9m(tpy.)@VGS=10VRDS (ON) =13m(tpy.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management in DesktopComputer, Portable Equipm
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