RU306C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU306C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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RU306C datasheet

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RU306C

RU306C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/5A, RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =110m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converter Load Switch N-Channel MOSFET Ab

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RU306C

RU3060L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/53A, RDS (ON) =9m (tpy.)@VGS=10V RDS (ON) =13m (tpy.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management in Desktop Computer, Portable Equipm

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RU306C

RU3065L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/65A, RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum R

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