RU3070L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU3070L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm

Encapsulados: TO-252

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RU3070L datasheet

 ..1. Size:328K  ruichips
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RU3070L

RU3070L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/70A, D RDS (ON) =3.3m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications Load Switch G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings

 8.1. Size:722K  ruichips
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RU3070L

RU3070M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/70A G RDS (ON) =3m (Typ.)@VGS=10V S S S RDS (ON) =3.6m (Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D D Excellent Q xR product(FOM) Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D DD 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC criteria Lead Free and Green Device Avai

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RU3070L

RU3070M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/70A, RDS (ON) =3.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MOSF

Otros transistores... RU30300R, RU3030M2, RU3040M, RU3040M2, RU304B, RU3050L, RU3065L, RU306C, IRLZ44N, RU3070M, RU3089L, RU3090M, RU30C8H, RU30D10H, RU30D8H, RU30E30L, RU30E40L