RU3070M Todos los transistores

 

RU3070M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU3070M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060
 

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RU3070M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  ruichips
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RU3070M

RU3070M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/70A, RDS (ON) =3.8m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MOSF

 0.1. Size:722K  ruichips
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RU3070M

RU3070M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/70AGRDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=10VSSSRDS (ON) =3.6m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technologyDD Excellent Q xR product(FOM) Excellent QgxRDS(on) product(FOM)DDD 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC criteria Lead Free and Green Device Avai

 8.1. Size:328K  ruichips
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RU3070M

RU3070LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/70A,D RDS (ON) =3.3m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications Load SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings

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History: NTS4101PT1 | SFP033N85C3 | SWD6N80DE

 

 
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