RU3070M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3070M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3070M
RU3070M Datasheet (PDF)
ru3070m.pdf
RU3070M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/70A, RDS (ON) =3.8m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MOSF
ru3070m3.pdf
RU3070M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/70AGRDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=10VSSSRDS (ON) =3.6m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technologyDD Excellent Q xR product(FOM) Excellent QgxRDS(on) product(FOM)DDD 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC criteria Lead Free and Green Device Avai
ru3070l.pdf
RU3070LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/70A,D RDS (ON) =3.3m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications Load SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
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Liste
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