RU3089L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3089L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 89 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de RU3089L MOSFET
RU3089L Datasheet (PDF)
ru3089l.pdf
RU3089LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/89A,RDS (ON) =3.8m (Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru3089m.pdf
RU3089MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/90A,RDS (ON) =2.4m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters Load switchG
ru3080l.pdf
RU3080L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/90A, RDS (ON) =2.6m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U
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History: SQ4005EY | 2SK195 | RU3050L
History: SQ4005EY | 2SK195 | RU3050L
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