RU30C8H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU30C8H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU30C8H
RU30C8H Datasheet (PDF)
ru30c8h.pdf
RU30C8HComplementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-ChannelD230V/8A,D2RDS (ON) =12m(Typ.) @ VGS=10VD1RDS (ON) =16m(Typ.) @ VGS=4.5VD1 P-Channel-30V/-7A,G2RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-10VS2RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5VG1 Reliable and Ruggedpin1S1 ESD Protected Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia
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