RU30C8H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RU30C8H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для RU30C8H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RU30C8H даташит
ru30c8h.pdf
RU30C8H Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel D2 30V/8A, D2 RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10V D1 RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5V D1 P-Channel -30V/-7A, G2 RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-10V S2 RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5V G1 Reliable and Rugged pin1 S1 ESD Protected Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia
ru30c30m.pdf
RU30C30M Complementary Advanced Power MOSFET Feat res Pin Description Features Pin Description N-Channel D1 30V/30A, D1 RDS (ON) =7.5m (Typ.) @ VGS=10V D2 D2 RDS (ON) =9.5m (Typ.) @ VGS=4.5V S1 P-Channel G1 -30V/-30A, 30V/ 30A, S2 S2 RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=-10V G2 RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5V Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology Ultr
ru30c40m3.pdf
RU30C40M3 Complementary Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description N-Channel 30V/35A, G2 RDS (ON) =8m (Typ.) @ VGS=10V G1S2 S1 RDS (ON) =10m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -30V/-40A, 30V/ 40A, RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10V D2 RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-4.5V D1D2 D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology pin1 Ultra Low On-Resista
ru30c20m3.pdf
RU30C20M3 Complementary Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description N-Channel 30V/20A, G2 RDS (ON) =8m (Typ.) @ VGS=10V G1S2 S1 RDS (ON) =10m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -30V/-20A, 30V/ 20A, RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-10V D2 RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-4.5V D1D2 D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology pin1 Ultra Low On-Resista
Другие IGBT... RU304B, RU3050L, RU3065L, RU306C, RU3070L, RU3070M, RU3089L, RU3090M, AO3400, RU30D10H, RU30D8H, RU30E30L, RU30E40L, RU30E4B, RU30E60M2, RU30E7H, RU30L15H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061




