Справочник MOSFET. RU30C8H

 

RU30C8H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30C8H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU30C8H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30C8H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  ruichips
ru30c8h.pdfpdf_icon

RU30C8H

RU30C8HComplementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-ChannelD230V/8A,D2RDS (ON) =12m(Typ.) @ VGS=10VD1RDS (ON) =16m(Typ.) @ VGS=4.5VD1 P-Channel-30V/-7A,G2RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-10VS2RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5VG1 Reliable and Ruggedpin1S1 ESD Protected Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

 9.1. Size:333K  ruichips
ru30c30m.pdfpdf_icon

RU30C8H

RU30C30MComplementary Advanced Power MOSFETFeat res Pin DescriptionFeatures Pin Description N-ChannelD130V/30A,D1RDS (ON) =7.5m(Typ.) @ VGS=10VD2D2RDS (ON) =9.5m(Typ.) @ VGS=4.5VS1 P-ChannelG1-30V/-30A,30V/ 30A,S2S2RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=-10V G2RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5V Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology Ultr

 9.2. Size:850K  ruichips
ru30c40m3.pdfpdf_icon

RU30C8H

RU30C40M3Complementary Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description N-Channel30V/35A, G2RDS (ON) =8m(Typ.) @ VGS=10V G1S2S1RDS (ON) =10m(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-30V/-40A,30V/ 40A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10VD2RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-4.5VD1D2D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technologypin1 Ultra Low On-Resista

 9.3. Size:410K  ruichips
ru30c20m3.pdfpdf_icon

RU30C8H

RU30C20M3Complementary Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description N-Channel30V/20A, G2RDS (ON) =8m(Typ.) @ VGS=10V G1S2S1RDS (ON) =10m(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-30V/-20A,30V/ 20A,RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-10VD2RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-4.5VD1D2D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technologypin1 Ultra Low On-Resista

Другие MOSFET... RU304B , RU3050L , RU3065L , RU306C , RU3070L , RU3070M , RU3089L , RU3090M , IRF3710 , RU30D10H , RU30D8H , RU30E30L , RU30E40L , RU30E4B , RU30E60M2 , RU30E7H , RU30L15H .

History: RU40L60M | SWUI6N70DA

 

 
Back to Top

 


 
.