RU30D10H Todos los transistores

 

RU30D10H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU30D10H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RU30D10H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  ruichips
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RU30D10H

RU30D10HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/10A,RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =24m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 9.1. Size:263K  ruichips
 ru30d20m3.pdf pdf_icon

RU30D10H

RU30D20M3Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m(Typ.)@VGS=10VS2G2 RDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=4.5V S1G1 Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and RuggedD2 100% avalanche testedD2D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)D1PIN1DFN303

 9.2. Size:386K  ruichips
 ru30d20m2.pdf pdf_icon

RU30D10H

RU30D20M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m(Typ.)@VGS=10VD2D2D1D1 RDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate ChargeG2 100% avalanche testedS1G1S2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1PIN1PDFN3333D1 D2Applications Switchi

 9.3. Size:266K  ruichips
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RU30D10H

RU30D8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/7A,RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =45m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unless

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History: IRF7410 | SSP7440N | HRP35N06K | WNM07N65 | SSF5NS70D | IRLZ14L | SSP65R065SFD3

 

 
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