Справочник MOSFET. RU30D10H

 

RU30D10H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30D10H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU30D10H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30D10H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  ruichips
ru30d10h.pdfpdf_icon

RU30D10H

RU30D10HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/10A,RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =24m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 9.1. Size:263K  ruichips
ru30d20m3.pdfpdf_icon

RU30D10H

RU30D20M3Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m(Typ.)@VGS=10VS2G2 RDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=4.5V S1G1 Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and RuggedD2 100% avalanche testedD2D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)D1PIN1DFN303

 9.2. Size:386K  ruichips
ru30d20m2.pdfpdf_icon

RU30D10H

RU30D20M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =8.5m(Typ.)@VGS=10VD2D2D1D1 RDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate ChargeG2 100% avalanche testedS1G1S2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1PIN1PDFN3333D1 D2Applications Switchi

 9.3. Size:266K  ruichips
ru30d8h.pdfpdf_icon

RU30D10H

RU30D8HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/7A,RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =45m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unless

Другие MOSFET... RU3050L , RU3065L , RU306C , RU3070L , RU3070M , RU3089L , RU3090M , RU30C8H , AON6414A , RU30D8H , RU30E30L , RU30E40L , RU30E4B , RU30E60M2 , RU30E7H , RU30L15H , RU30L30M .

History: STB7NK80ZT4 | RF4C050AP | WMM07N60C4 | IRFB4310ZPBF | WSD2098 | 1H10 | SSF6025

 

 
Back to Top

 


 
.