RU30P4C6 Todos los transistores

 

RU30P4C6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU30P4C6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de RU30P4C6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU30P4C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  ruichips
ru30p4c6.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4C6P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4A,S RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-4.5VD Low On-ResistanceD Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)DDSOT23-6DApplications Load SwitchDC/DC ConverterGSP-Channel MOSFET

 7.1. Size:338K  ruichips
ru30p4c.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC Converter

 8.1. Size:658K  ruichips
ru30p40m3.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P40M3P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-40A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=-10VGSSRDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=-4.5VS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DDDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DA

 8.2. Size:339K  ruichips
ru30p4b.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4BP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell DesignG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSP-Channel MOSFE

Otros transistores... RU30E4B , RU30E60M2 , RU30E7H , RU30L15H , RU30L30M , RU30P3B , RU30P4B , RU30P4C , 2N7000 , RU30P4H , RU30P5D , RU30P5H , RU30S4H , RU30S5H , RU35122R , RU35122S , RU3520H .

History: NCE20P07N | KIA6N70H-220F | KNB3208A | NTP5411NG | NP100P04PDG | STB80NF06 | SIR882ADP

 

 
Back to Top

 


 
.