Справочник MOSFET. RU30P4C6

 

RU30P4C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30P4C6
   Маркировка: F*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30P4C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  ruichips
 ru30p4c6.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4C6P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4A,S RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-4.5VD Low On-ResistanceD Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)DDSOT23-6DApplications Load SwitchDC/DC ConverterGSP-Channel MOSFET

 7.1. Size:338K  ruichips
 ru30p4c.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC Converter

 8.1. Size:658K  ruichips
 ru30p40m3.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P40M3P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-40A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=-10VGSSRDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=-4.5VS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DDDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DA

 8.2. Size:339K  ruichips
 ru30p4b.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4BP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell DesignG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSP-Channel MOSFE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: DMN53D0LDW | APQ12SN60A

 

 
Back to Top

 


 
.