Справочник MOSFET. RU30P4C6

 

RU30P4C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30P4C6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для RU30P4C6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30P4C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  ruichips
 ru30p4c6.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4C6P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4A,S RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-4.5VD Low On-ResistanceD Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)DDSOT23-6DApplications Load SwitchDC/DC ConverterGSP-Channel MOSFET

 7.1. Size:338K  ruichips
 ru30p4c.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC Converter

 8.1. Size:658K  ruichips
 ru30p40m3.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P40M3P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-40A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=-10VGSSRDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=-4.5VS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DDDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DA

 8.2. Size:339K  ruichips
 ru30p4b.pdf pdf_icon

RU30P4C6

RU30P4BP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell DesignG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSP-Channel MOSFE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU30E4B , RU30E60M2 , RU30E7H , RU30L15H , RU30L30M , RU30P3B , RU30P4B , RU30P4C , 2N7000 , RU30P4H , RU30P5D , RU30P5H , RU30S4H , RU30S5H , RU35122R , RU35122S , RU3520H .

History: 9N90 | NP100N055MDH | WMM07N60C4 | HRP35N06K | SI2305DS | 1H10 | NCE3407

 

 
Back to Top

 


 
.