RU30P4H MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

RU30P4H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU30P4H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU30P4H datasheet

..1. Size:330K ruichips
ru30p4h.pdf pdf_icon

RU30P4H P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-5A, D RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =80m (Typ.)@VGS=-4.5V D Low On-Resistance D Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S pin1 S SOP-8 D D D D (8) (6) (7) (5) Applications Power management Loa

8.1. Size:338K ruichips
ru30p4c.pdf pdf_icon

RU30P4C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =55m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23-3 D Applications Load Switch DC/DC Converter

8.2. Size:658K ruichips
ru30p40m3.pdf pdf_icon

RU30P40M3 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-40A, RDS (ON) =7.5m (Typ.)@VGS=-10V G S S RDS (ON) =11.5m (Typ.)@VGS=-4.5V S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DD D D 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030 D A

8.3. Size:339K ruichips
ru30p4b.pdf pdf_icon

RU30P4B P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =60m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =80m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23 D Applications Load Switch G S P-Channel MOSFE

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