RU30P4H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU30P4H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
RU30P4H Datasheet (PDF)
ru30p4h.pdf

RU30P4HP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-5A,D RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=-4.5VD Low On-ResistanceD Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSpin1SSOP-8D D D D(8) (6)(7) (5)ApplicationsPower managementLoa
ru30p4c.pdf

RU30P4CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC Converter
ru30p40m3.pdf

RU30P40M3P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-40A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=-10VGSSRDS (ON) =11.5m(Typ.)@VGS=-4.5VS Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DDDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030DA
ru30p4b.pdf

RU30P4BP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell DesignG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSP-Channel MOSFE
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: STF20NM60D | 2SJ542 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | YTF840
History: STF20NM60D | 2SJ542 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | YTF840



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c