RU30P4H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30P4H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU30P4H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30P4H даташит

 ..1. Size:330K  ruichips
 ru30p4h.pdf pdf_icon

RU30P4H

RU30P4H P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-5A, D RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =80m (Typ.)@VGS=-4.5V D Low On-Resistance D Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S pin1 S SOP-8 D D D D (8) (6) (7) (5) Applications Power management Loa

 8.1. Size:338K  ruichips
 ru30p4c.pdf pdf_icon

RU30P4H

RU30P4C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =55m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23-3 D Applications Load Switch DC/DC Converter

 8.2. Size:658K  ruichips
 ru30p40m3.pdf pdf_icon

RU30P4H

RU30P40M3 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-40A, RDS (ON) =7.5m (Typ.)@VGS=-10V G S S RDS (ON) =11.5m (Typ.)@VGS=-4.5V S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DD D D 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030 D A

 8.3. Size:339K  ruichips
 ru30p4b.pdf pdf_icon

RU30P4H

RU30P4B P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =60m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =80m (Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23 D Applications Load Switch G S P-Channel MOSFE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU30E60M2, RU30E7H, RU30L15H, RU30L30M, RU30P3B, RU30P4B, RU30P4C, RU30P4C6, 2SK3878, RU30P5D, RU30P5H, RU30S4H, RU30S5H, RU35122R, RU35122S, RU3520H, RU3560L