RU30S4H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU30S4H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU30S4H
RU30S4H Datasheet (PDF)
ru30s4h.pdf
RU30S4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.8A,RDS (ON) =50m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rating
ru30s15h.pdf
RU30S15HP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-15A,D2 RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=-10VD2 RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=-4.5VD1 Low On-ResistanceD1 Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)S2G1pin1S1SOP-8ApplicationsPower managementLoad switchBa
ru30s5h.pdf
RU30S5HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -30V/-5A,RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =56m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
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History: SVT078R0NT | SVF13N50PN | G2002 | SVF2N65F
History: SVT078R0NT | SVF13N50PN | G2002 | SVF2N65F
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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