RU30S5H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU30S5H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU30S5H datasheet

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RU30S5H

RU30S5H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -30V/-5A, RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =56m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications Power Management. Dual P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings

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RU30S5H

RU30S15H P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-15A, D2 RDS (ON) =15m (Typ.)@VGS=-10V D2 RDS (ON) =22m (Typ.)@VGS=-4.5V D1 Low On-Resistance D1 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged G2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S2 G1 pin1 S1 SOP-8 Applications Power management Load switch Ba

 9.2. Size:291K  ruichips
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RU30S5H

RU30S4H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -30V/-4.8A, RDS (ON) =50m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications Power Management. Dual P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Rating

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