RU3568L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU3568L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3568L

RU3568L Datasheet (PDF)

..1. Size:329K ruichips
ru3568l.pdf

RU3568LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsS

8.1. Size:303K ruichips
ru3568r.pdf

RU3568RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/68A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol

9.1. Size:298K ruichips
ru3560l.pdf

RU3560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/50A,RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Low Voltage Inverter ApplicationsN-Channel MOSFET

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: