RU3582R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3582R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU3582R MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
RU3582R datasheet
ru3582r.pdf
RU3582R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/100A, RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati
ru3582s.pdf
RU3582S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/100A, RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati
Otros transistores... RU30S4H, RU30S5H, RU35122R, RU35122S, RU3520H, RU3560L, RU3568L, RU3568R, SKD502T, RU3582S, RU3710R, RU3710S, RU40120M, RU40120R, RU40120S, RU40130R, RU40150R
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor
