RU3582R - описание и поиск аналогов

 

Аналоги RU3582R. Основные параметры


   Наименование производителя: RU3582R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU3582R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3582R даташит

 ..1. Size:301K  ruichips
 ru3582r.pdf pdf_icon

RU3582R

RU3582R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/100A, RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati

 8.1. Size:293K  ruichips
 ru3582s.pdf pdf_icon

RU3582R

RU3582S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/100A, RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati

Другие MOSFET... RU30S4H , RU30S5H , RU35122R , RU35122S , RU3520H , RU3560L , RU3568L , RU3568R , SKD502T , RU3582S , RU3710R , RU3710S , RU40120M , RU40120R , RU40120S , RU40130R , RU40150R .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.