RU3582R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU3582R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU3582R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3582R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ruichips
 ru3582r.pdf pdf_icon

RU3582R

RU3582RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/100A,RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rati

 8.1. Size:293K  ruichips
 ru3582s.pdf pdf_icon

RU3582R

RU3582SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/100A,RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-263 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rati

Другие MOSFET... RU30S4H , RU30S5H , RU35122R , RU35122S , RU3520H , RU3560L , RU3568L , RU3568R , IRF9540N , RU3582S , RU3710R , RU3710S , RU40120M , RU40120R , RU40120S , RU40130R , RU40150R .

History: HFD2N65S

 

 
Back to Top

 


 
.