RU40E32L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU40E32L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
- Selección de transistores por parámetros
RU40E32L Datasheet (PDF)
ru40e32l.pdf

RU40E32LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/45A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru40e25l.pdf

RU40E25LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/25A,RDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =38m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximu
ru40e80l.pdf

RU40E80LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/80A,D RDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=4.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbso
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: FDD8N50NZ | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | IPD70R2K0CE
History: FDD8N50NZ | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | IPD70R2K0CE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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