RU40E32L Todos los transistores

 

RU40E32L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU40E32L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RU40E32L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  ruichips
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RU40E32L

RU40E32LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/45A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 9.1. Size:291K  ruichips
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RU40E32L

RU40E25LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/25A,RDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =38m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 9.2. Size:329K  ruichips
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RU40E32L

RU40E80LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/80A,D RDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=4.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbso

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History: TP0101TS-T1 | BRFL8N65

 

 
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