RU40E32L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU40E32L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO-252

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RU40E32L datasheet

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RU40E32L

RU40E32L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/45A, RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =15m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum

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RU40E32L

RU40E25L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/25A, RDS (ON) =26m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =38m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximu

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RU40E32L

RU40E80L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/80A, D RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications Switching Applications G S N-Channel MOSFET Abso

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