RU40L10H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU40L10H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU40L10H
RU40L10H Datasheet (PDF)
ru40l10h.pdf
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ru40l10l.pdf
RU40L10LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-32A,RDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Supplies InverterP-Channel MOSFET
ru40l10l.pdf
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